| SAMSUNG 990 PRO MZ-V9P1T0BW 1TB

Линейка Samsung 980

Емкость 1 ТБ

Тип флэш-памяти TLC 3D NAND

Назначение внутренний

Форм-фактор M.2 2280

Подключение
Интерфейсы PCI-E
Разъем M.2
Тип разъема M.2 2280, M
Тип PCI-E PCI-E 4.0 x4

Параметры накопителя
Объем буфера 1024 МБ
Скорость чтения 7450 МБ/с
Скорость записи 6900 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) не указана

Ударостойкость и ресурс работы
Ударостойкость при работе 1500 G
Ударостойкость при хранении 1500 G
Время наработки на отказ 1500000 ч
Суммарное число записываемых байтов (TBW) 600 ТБ

Дополнительно
Макс. рабочая температура 70 °C
Потребляемая мощность 5.4 Вт
Высота 2.3 мм
Длина 80 мм
Ширина 22 мм
Вес 80 г

Гарантийный срок 1 г.